1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

SSH6N55


Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 125W
Uds,max 550V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 6A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff)
Ciss
Rds,ohm
Caps TO-3P
Производитель SAMSUNG
Применение
Аналоги: MTH6N55;
Caps FIG

Caps SCH
SSH60N10A SSH6N60