RF1S50N06LESM

Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max
Uds,max 60V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 50A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff)
Ciss
Rds,ohm 0.022
Caps N/A
Производитель INTERSIL
Применение ESD Rated, Logic Level Power MOSFET
Аналоги:

RF1S4N100SM RF1S50N06SM