1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

KSB1116A-G


Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 750mW
Ucb,max 80V
Uce,max 60V
Ueb,max 6V
Ic,max 1A
Tj,max 150єC
Ft,max 70MHz
Cctip,pF 2.5
Hfe 200MIN
Производитель SAMSUNG
Caps TO92
Применение Low Power, General Purpose
Аналоги:
Caps FIG

Caps SCH
KSB1116A KSB1116A-L