1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

IRF632


Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 75W
Uds,max 200V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 8A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 90/90nS
Ciss
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение
Аналоги: MTP7N18;MTP7N20;MTP8N18;MTP8N20;IRF630;
Caps FIG

Caps SCH
IRF631 IRF633