IRF632
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 75W
Uds,max 200V
Udg,max Ugs,max Id,max 8A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 90/90nS
Ciss Rds,ohm Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение Аналоги: MTP7N18;
MTP7N20;
MTP8N18;
MTP8N20;
IRF630;
Caps FIG
Caps SCH