1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

IRF624


Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 60W
Uds,max 250V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 3.8A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 53/52nS
Ciss
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение
Аналоги: STP5N30;
Caps FIG

Caps SCH
IRF623 IRF624A