IRF613
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 43W
Uds,max 150V
Udg,max Ugs,max -
Id,max 2.6A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 38/34nS
Ciss -
Rds,ohm Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение Аналоги: IRF612;
VN0340N5;
BUZ60;
BUZ76A;
ECG67;
Caps FIG
Caps SCH