1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

IRF613


Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 43W
Uds,max 150V
Udg,max
Ugs,max -
Id,max 2.6A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 38/34nS
Ciss -
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение
Аналоги: IRF612;VN0340N5;BUZ60;BUZ76A;ECG67;
Caps FIG

Caps SCH
IRF612 IRF614