1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

IRF530


Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 90W
Uds,max 100V
Udg,max 100V
Ugs,max 20V
Id,max 16A
Tj,max 175єC
Fr (ton/toff) 30/180
Ciss 900
Rds,ohm 0.160
Caps TO-220
Производитель STE
Применение ENHANCEMENT MODE POWER MOS
Аналоги: NDP510A;STP18N10;BUK453-100A;BUK453-100B;MTP12N10E;RFP12N10;SGSP361;SSP12N08;SSP12N10;
Caps FIG

Caps SCH
IRF523 IRF5305