1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

GES5816


Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 500mW
Ucb,max 50V
Uce,max 40V
Ueb,max 5V
Ic,max 750mA
Tj,max 135єC
Ft,max 120MHz
Cctip,pF 15
Hfe 100MIN
Производитель GENERAL SEMI
Caps TO236
Применение Medium Power, General Purpose
Аналоги: BC337;2N5818;KT504B;
Caps FIG

Caps SCH
GES5815 GES5817