1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

GES5551R


Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 200mW
Ucb,max 180V
Uce,max 160V
Ueb,max 5V
Ic,max 600mA
Tj,max 175єC
Ft,max 100MHz
Cctip,pF 10
Hfe 100MIN
Производитель GENERAL SEMI
Caps SOT23
Применение Medium Power, General Purpose
Аналоги:
Caps FIG

Caps SCH
GES5551 GES5810