1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

GES5551


Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 200mW
Ucb,max 180V
Uce,max 160V
Ueb,max 5V
Ic,max 600mA
Tj,max 175єC
Ft,max 100MHz
Cctip,pF 10
Hfe 80/250
Производитель GENERAL SEMI
Caps SOT23
Применение Medium Power, General Purpose
Аналоги:
Caps FIG

Caps SCH
GES5550R GES5551R