GES5551
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 200mW
Ucb,max 180V
Uce,max 160V
Ueb,max 5V
Ic,max 600mA
Tj,max 175єC
Ft,max 100MHz
Cctip,pF 10
Hfe 80/250
Производитель GENERAL SEMI
Caps SOT23
Применение Medium Power, General Purpose
Аналоги: Caps FIG
Caps SCH