GES5550R
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 200mW
Ucb,max 160V
Uce,max 140V
Ueb,max 5V
Ic,max 600mA
Tj,max 175єC
Ft,max 100MHz
Cctip,pF 10
Hfe 90/300
Производитель GENERAL SEMI
Caps SOT23
Применение Medium Power, General Purpose
Аналоги: Caps FIG
Caps SCH