1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

GES5132


Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 200mW
Ucb,max 20V
Uce,max 20V
Ueb,max 3V
Ic,max 30mA
Tj,max 125єC
Ft,max 200MHz
Cctip,pF 3.5
Hfe 30/500
Производитель GENERAL SEMI
Caps TO236
Применение RF, Low Power, General Purpose
Аналоги: BF173;2N918;KT339AM;
Caps FIG

Caps SCH
GES5131 GES5133