1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

GES5130


Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 200mW
Ucb,max 30V
Uce,max 12V
Ueb,max 1V
Ic,max 50mA
Tj,max 125єC
Ft,max 450MHz
Cctip,pF 3
Hfe 12MIN
Производитель GENERAL SEMI
Caps TO236
Применение VHF, Low Power
Аналоги: BFX73;2N918;KT339AM;
Caps FIG

Caps SCH
GES5129 GES5131