1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

GES5129


Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 200mW
Ucb,max 15V
Uce,max 12V
Ueb,max 3V
Ic,max 500mA
Tj,max 125єC
Ft,max 150MHz
Cctip,pF 10
Hfe 35MIN
Производитель GENERAL SEMI
Caps TO236
Применение Medium Power, General Purpose
Аналоги: 2N5818;KT3117A;
Caps FIG

Caps SCH
GES5128 GES5130