EFT320
Тип Биполярный транзистор
Материал Ge
Структура pnp
Pc,max 150mW
Ucb,max 30V
Uce,max 25V
Ueb,max 9V
Ic,max 10mA
Tj,max 75єC
Ft,max 17MHz
Cctip,pF -
Hfe 35/220
Производитель IPR
Caps TO1
Применение RF, Low Power, General Purpose
Аналоги: AF114;
Caps FIG
Caps SCH