1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

2G306


Тип Биполярный транзистор
Материал Ge
Структура pnp
Pc,max 200mW
Ucb,max 20V
Uce,max 20V
Ueb,max 10V
Ic,max 300mA
Tj,max 100єC
Ft,max 12MHz
Cctip,pF 15
Hfe 90MIN
Производитель TI
Caps TO1
Применение RF, Low Power, General Purpose
Аналоги: 2N2614;GT403B;
Caps FIG

Caps SCH
2G304 2G308